LEEG立格SMP858-TST单晶硅表压力变送器

LEEG单晶硅压力变送器采用单晶硅技术压力传感器，单晶硅压力传感器位于金属本体顶，远离介质接触面，实现械隔离和隔离，玻璃烧结一体的传感器引线与金属基体的高强度电气绝缘，提高了电子线路的灵活能与耐瞬变电压护的能力，可应对复杂的化学场合和械负荷，同时具备较强的抗电磁能力，适合苛刻的流程工业环境中压力、液位或流量测量应用。



主要参数

压力类型：表压

量程范围：10kPa-3MPa

输出号：4-20mA，4-20mA+HART、Modbus-RTU/RS485

参考精度：±0.2量程上限，可选±0.05量程上限

认：CE，EXPSI，IECEx，RoHS



技术参数

标称量程：40kPa，250kPa，1MPa，3MPa

典型精度：±0.2量程上限

年稳定：±0.2量程上限/5年

环境温度影响（典型值）：在- 20- 80℃范围内总影响量为0.2%量程上限/10k

电源影响：当供电电压在10.5/16.5-55VDC内变化，其零点和量程的变化应不超过±0.005量程上限/V

抗振动性： 10gRMS（25...2000H）符合IEC60068-2-6 标准

抗冲击性：500g/1ms符合IEC60068-2-27标准

绝缘电阻：≥20MΩ@参考条件下，  100VDC

总阻尼时间常数：等于电子线路件和传感膜盒阻尼时间常数之和

电子线路件阻尼时间：0-100S范围可调

传感膜盒（隔离传感膜片和硅油填充液）阻尼时间：≤0.2S

断电后上电启动时间：≤6S

数据恢复至正常使用时间：≤31S

净重：约1.6kg

使用环境温度范围：-40-85℃，一体化LCD显示：-20-70℃

储存环境温度范围：-40-110℃，一体化LCD显示：-40-85℃

使用环境温度范围：5-100RH@40℃

护等级：IP67

NEPSI：ExdII-6Gb（GYB16.1365X）/  ExiaII-4Ga（GBY16.1253X）

标准型/隔型：10.5-55VDC

HART通讯协议：16.5-55VDC，通讯时负载电阻250Ω

RS485：12-32VDC

负载电阻：0-2119Ω为工作状态，250-600Ω HART通讯

传输距离：<1000米

功耗：≤500mV@24VDC，20.8mA

隔离膜片材质：316L不锈钢、哈氏合金C

隔离充灌液：常温硅油，适用直接接触温度范围- 45-250℃

卫生填充液Neobee M-20 ，适用直接接触温度范围- 10-180℃

号输出方式：4-20mA二线制，适用供电电压10.5-55VDC

4-20mA+HART二线制，适用供电电压16.5-55VDC

Modbus-RTU/RS485，四线制适用供电电压5-32VDC